High Temperature Operation of GaN MESFET Fabricated by Photoelectrochemical Etching

광전화학 에칭법을 사용하여 제작된 GaN MESFET의 소자작동 특성

  • 이호철 (명지대학교 무기재료공학과) ;
  • 신무환 (명지대학교 무기재료공학과) ;
  • 이원상 (LG기술원 소자재료연구실)
  • Published : 1998.05.01