Tin Dioxide Thin Film Deposited by Ozone assisted MOCVD

  • Bae, J.O. (Dept. of Materials Engineering Sung Kyun Kwan Univ.) ;
  • Hyeun, S.W. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Lee, S.U. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Oho, K.H. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Song, K.H. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Park, J.I. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Park, K.J. (National Institute of Technology and Quality) ;
  • Yeom, G.Y. (Dept. of Materials Engineering Sung Kyun Kwan Univ.)
  • Published : 1998.02.01

Abstract

투명전도막(TCO)인 산화주석막 (Tin oxide, TO)을 원료물질 tetramethyltin(TMT) 산소, 그리고 오존이 5mol% 함유된 산소 등의 다양한 가스 조합조건하에서 low ppressure-MOCVD법으로 증착하였다. TO 박막의 특성은 가스조합비 그리고 증착기판 온도 를 조절함으로서 변화시킬 수 있는데 특히 기판온도에 크게 의존한다. 증착된 박막은 XRD, $\alpha$-stepp, 4-ppoint pprobe, UV-sppectropphotometer 그리고 Hall 측정장비를 이용하여 특성분석 을 하였다.

Keywords