The effect of nucleation layer growth rate on structural and electrical propperties of GaN grown by metalorganic chemical vapor dposition(MOCVD)

  • 김동준 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
  • 문용태 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
  • 안광순 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
  • 김효근 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
  • 박성주 (광주과학기술원 신소재공학과)
  • 발행 : 1998.06.01