A Study on the Deactivation in Heavily Boron Implanted Silicon Using Ultra Low Energy Ion Implantation

ULE(ultra low energy)를 이용하여 고조사량 B 이온 주입된 실리콘의 Deactivation 현상에 관한 연구

  • 유승한 (홍익대학교 금속재료공학과) ;
  • 노재상 (홍익대학교 금속재료공학과)
  • Published : 1998.10.01