한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

RF 스퍼터링법에 의한 (SrCa)Ti $O_3$ 세라믹 박막의 제초 및 미세구조

Fabrication and microstructure of (Sr .Ca)Ti $O_3$ Ceramic Thin Films by RF Sputtering Method-

  • 김진사 (광운대학교 공대 전기공학과) ;
  • 정일형 (광운대학교 공대 전기공학과) ;
  • 백봉현 (광운대학교 공대 전기공학과) ;
  • 김충혁 (광운대학교 공대 전기공학과) ;
  • 최운식 (대불대학교 공대 전기공학과) ;
  • 오재한 (성화전문대학 전기과) ;
  • 이준웅 (광운대학교 공대 전기공학과)
  • 발행 : 1997.11.01
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초록

(S $r_{0.85}$/C $a_{0.15}$)Ti $O_3$(SCT) thin films at various deposition temperature and rf power were grown by rf magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/ $SiO_2$/Si). The crystallinity of the films increases with increasing deposition temperature. SCT thin film is depend on the surface morphology and crystallinity of Pt films for bottom electrode. Dielectric constant of (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$)Ti $O_3$ thin films deposited on Si wafer substrate are larger with the increase of deposition temperature and gain size.in size.

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