Growth characteristics of thick Si$O_{2}$ using $O_{3}$/TEOS APCVD

$O_{3}$/TEOS를 이용한 후막 Si$O_{2}$의 성장 특성

  • 이우형 (성균관대학교 재료공학과 광전재료 및 소자연구실) ;
  • 김현수 (삼성전자 통신연구소 광통신연구팀) ;
  • 유지범 (성균관대학교 재료공학과 광전재료 및 소자연구실)
  • Published : 1997.10.01