Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 1997.07a
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- Pages.27-27
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- 1997
Growth of GaN on Sapphire and Amorpphous $Al_2O_3$ on Si by Reactive Ion Molecular Beam.
- Kim, Gyung-Hyun ;
- Baek, Min ;
- Choi, Gyu-Seok ;
- Ryu, Dae-Yeol ;
- Son, Gi-Hwang ;
- Park, Jong-Bong ;
-
Kim, Do-Jin
- 김경현 (충남대학교 재료공학과 광전자 재료실) ;
- 백민 (충남대학교 재료공학과 광전자 재료실) ;
- 최규석 (충남대학교 재료공학과 광전자 재료실) ;
- 류대열 (충남대학교 재료공학과 광전자 재료실) ;
- 손기황 (충남대학교 재료공학과 광전자 재료실) ;
- 박종봉 (KMAC(한국물성분석 전문회사)) ;
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김도진
(충남대학교 재료공학과 광전자 재료실)
- Published : 1997.07.01
Abstract
Keywords