Characteristics of GaN cpitaxial layer grown on 6H-SiC(0001) by RF-Molecular Beam Eppitaxy

• 원상현 (경희대학교 전자공학과, 용인 447-701) ;
• 정관수 (경희대학교 전자공학과, 용인 447-701) ;
• 조학동 (동국대학교 물리학과, 서울 100-715) ;
• 박승호 (동국대학교 물리학과, 서울 100-715) ;
• 고남훈 (동국대학교 물리학과, 서울 100-715) ;
• 강태원 (동국대학교 물리학과, 서울 100-715) ;
• 엄기석 (위덕대학교 물리학과, 경주) ;
• 윤갑수 (한양대학교 물리학과, 서울 133-971) ;
• 김채옥 (한양대학교 물리학과, 서울 133-971)

• 발행 : 1997.02.01

• PDF