UHVECRCVD에 의한 $600^{\circ}C$에서의 Si(100) 표면의 carburization 및 ${\beta}$-SiC 형성

  • 표재확 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 황기웅 (서울대학교 전기공학부)
  • 발행 : 1997.02.01