중공사막 PLASMA 표면처리에서 고분자층의 상대 두께 분포에 관한 연구

중공사막은 제조과정인 wet spining의 과정에서 defect가 형성될 수 있어 분리선택도에 큰 영향을 미친다. 이러한 defect의 처리 방법으로는 dipping method등의 방법이 현재 널리 쓰이고 있다. dipping method는 제조된 중공사막을 PDMS 등의 고분자용액 속으로 통과시켜 결과적으로 중공사막 표면에 얇은 고분자막이 형성되도록 하는 방법이다. 그러나 이러한 방법으로 중공사 막을 처리할 경우 고분자 용액이 pore내로 침입하거나 중력으로 인하여 용액이 아래쪽으로 몰려 하반부의 두께가 두꺼워진다는 단점이 있다. 본 연구에서는 플라즈마 반응기 내의 전극사이의 공간에서 substrate의 위치를 변화시켜가면서 thickness를 측정하여 중공사막의 plasma coating을 위한 기초 자료를 정립하여 중공사막 plasma 표면처리 장치 개발에 기여하고자 한다.