박막트랜지스터에서 불순물의 활성화 온도를 감소하기 위한 새로운 방법

New Method for Reduction Temperature of Dopant Activation in Thin Film Transistors

  • 신진욱 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 인태형 (서울대학교 공과대학 재료공학부서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 이병일 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 김광호 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 안평수 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 정원철 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 주승기 (서울대학교 공과대학 재료공학부)
  • 발행 : 1996.11.01