Resistivity Behavior of In-situ Phosphorus Doped Poly-silicon with Annealing Temperature

인이 in-situ로 도핑된 다결정 실리콘의 열처리 온도에 따른 비저항의 변화

  • 김민수 (현대전자 메모리 연구소) ;
  • 임찬 (현대전자 메모리 연구소) ;
  • 박영진 (현대전자 메모리 연구소) ;
  • 김종철 (현대전자 메모리 연구소)
  • Published : 1996.05.01