AlGaAs/GaAs HBT의 제작 특성에 관한 연구

Characteristics of Fabricated AlGaAs/GaAs HBT

  • 김연태 (인하대학교 공과대학 전자재료공학과 반도체 및 박막 기술 연구소) ;
  • 이제희 (인하대학교 공과대학 전자재료공학과 반도체 및 박막 기술 연구소) ;
  • 원태영 (인하대학교 공과대학 전자재료공학과 반도체 및 박막 기술 연구소)
  • 발행 : 1996.11.01

초록

AlGaAs/GaAs 에피 구조와 제조 공정에 사용될 마스크를 설계 및 제작하여, 이를 이용하여 다양한 크기의 HBT를 제작하였다. 제작될 소자의 특성에 영향 을 미치는 공정에 대해서는 단위 공정을 수행하여 발생될 수 있는 문제점들을 사전에 제거하고, 안정된 공정 조건을 확립하도록 하였다. 금속의 저항성 접촉특성 향상을 위한 단위 실험 결과, n형 및 p형 금속에 대하여 각각 3.5$\times$$10^{-6}$-$ extrm{cm}^2$와 1.0$\times$$10^{-5}$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항 특성을 얻었다. 또한, 제작된 HBT는 HP4145B 와 HP8510C의 장비를 이용하여 DC 및 AC 특성을 측정하였는데, 에미터 크기가 3$\times$10um$^2$인 소자의 경우, $\beta$=51, f$_{T}$= 42GHZ 및 f$_{max}$=19GHz의 특성을 얻었다.

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