Dependences of mobility on In compositionand $\delta$-doping concentration in Inp based P-HEMT channel layer

  • 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물회로연구실) ;
  • 홍상기 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물회로연구실)
  • Published : 1996.06.01