Growth characteristics of epitaxial GaN using precracked NH3

  • 이철로 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터부, 박막연구그룹) ;
  • 이인환 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 손성진 (광전자반도체(주)) ;
  • 노삼규 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터부, 박막연구그룹)
  • Published : 1996.06.01