RICBD 법에 의한 $Y_2O_3$ 박막특성에 관한 연구

Properties of $Y_2O_3$ Thin Films Prepared by RICBD Method

  • 전정식 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초연구팀) ;
  • 문종 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초연구팀) ;
  • 심태언 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초연구팀)
  • 발행 : 1996.02.01