Design of the Waveguide structure for High-Power and Single-lateral-Mode Operation in 980nm InGaAs-InGaAsP FP-LD

980nm InGaAs-InGaAsP FP-LD 의 고출력, 단일 횡모드 동작을 위한 광도파로 구조의 설계

  • 조시연 (한양대학교 물리학과) ;
  • 심종인 (한양대학교 전기공학과) ;
  • 장동훈 (한국전자통신연구소 화합물 소자연)
  • Published : 1996.09.01