Rf-magnetron Sputtering방법으로 증착한 $Ba_{0.7}Sr_{0.3}TiO_3$ 박막의 전기적 특성 평가

  • 이승훈 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 이희철 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 김호기 (한국과학기술원 재료공학과)
  • 발행 : 1995.11.18

초록

Pt(80nm)/$SiO_2$(150nm)/Si 기판위에 $Ba_{0.7}Sr_{0.3}TiO_3$ 박막을 rf-magnetron Sputtering 방법을 이용하여 기판온도 590$^{\circ}C$에서 33nm 두께를 증착했을 때 비유전율은 268 이었다. 비유전율이 3.9인 $SiO_2$와 비교했을 때 유효 두께인 Tox는 0.45nm 이었다. 누설 전류 밀도는 1.5V 전압을 인가했을 때 $4.21\times10^{-7}A/cm^2$이었다.

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