한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

비정질 실리콘 박막 트랜지스터 히스테리시스 특성

Hysteresis Characteristics of a-Si:H TFT

  • 이우선 (조선대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 정용호 (조선대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 김남오 (조선대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 김병인 (송원전문대학) ;
  • 장의구 (중앙대학교)
  • 발행 : 1995.05.01
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초록

We fabricate a bottom gate a-Si:H TFT on N-Type <100> Si wafer. According to the variation of gate and drain voltage, the hysteresis characteristic curves were measured experimentally. Also, we showed that the model predict the hysteresis characteristic successfully. Drain current on the hysteresis characteristic currie showed an exponential variation. Hysteresis area of TFT increased with the drain voltage increase and decreases with the drain voltage decrease.

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