$In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}Al_{0.48}As/InP$ HEMT 구조 에피택셜 층;성장 및 특성

• 노동완 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
• 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
• 이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
• 박형무 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
• 김경수 (한국전자통신연구소 반도체연구단)

• Published : 1995.02.01

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