MBE 에 의한 InGaAs/GaAs P-HEMT 성장과 특성

  • 이해권 (한국전자통신연구소 반도체 연구단) ;
  • 이재진 (한국전자통신연구소 반도체 연구단) ;
  • 노동완 (한국전자통신연구소 반도체 연구단) ;
  • 박형무 (한국전자통신연구소 반도체 연구단) ;
  • 김경수 (한국전자통신연구소 반도체 연구단)
  • Published : 1995.02.01