이온 채널링-각주사 분석기법을 이용한 $Si_{1-x}Ge_{x}/Si$박막의 스트레인 측정

Strain miasurement of $Si_{1-x}Ge_{x}/Si$ thin film by ion channeling-angular scanning analysis

  • 이상환 (한국전자통신연구소 , 반도체연구단) ;
  • 김상기 (한국전자통신연구소 , 반도체연구단) ;
  • 조경익 (한국전자통신연구소 , 반도체연구단) ;
  • 김동구 (한국전자통신연구소 , 반도체연구단)
  • 발행 : 1994.11.01