초고진공 전자공명 화학기상증착법을 이용한 $Si_{1-x}Ge_{x}$ 박막의 저온에피성장

Low-temporature heteroepitaxial growth of $Si_{1-x}Ge_{x}$ using Ultrahigh Vacuum - Eledtron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition

  • 주성재 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 황석희 (서울대학교 전기공학과) ;
  • 황기현 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 윤의준 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 황기웅 (서울대학교 전기공학과)
  • 발행 : 1994.11.01