Diffusion of In Situ-Doped Boron in $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si heterostructure Grown by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy

분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구

  • 윤선진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 이승창 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 박신종 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
  • Published : 1994.05.01