광류미느센스와 쌍결정엑스선 회절 mapping 방법을 이용한 MBE 성장된 AlGaAs 에피층의 특성 분석

Characterization of the MBE Grown AlGaAs Eppitaxial Layer using pphoto-luminescence and Double Crystal X-ray Diffractormeter Mapping Techniques

  • 서경수 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
  • 발행 : 1994.06.01