Effect of Annealing Techniques on the Interface between Si and Ta2O5 film growth by MOCVD Precess

열처리 방법이 MOCVD에 의하여 증착된 탄탈륨 산화박막과 실리콘 계면에 미치는 영향

  • 박상규 (포항공과대학교 화학공학과 재료공정 연구실) ;
  • 남갑진 (포항공과대학교 화학공학과 재료공정 연구실) ;
  • 이영백 (포항공과대학교 화학공학과 재료공정 연구실)
  • Published : 1994.06.01