$Si_3N_4$로 ppattern된 GaAs 기판위에 Ultrahigh Vacuum Chemical Vappor Depposition법에 의한 GaAs와 InGaAs의 선택 에피택시 성장

• 김성복 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
• 노정래 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
• 박성주 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
• 이일항 (한국전자통신연구소 기초기술연구부)

• Published : 1994.02.01

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