이온선보조증착에의한 $Si_{1-X}Ge_X$(x=0.2, 0.5)층의 저온정합성장에 관한 연구

A Study on the Low Tempperature Eppitaxial Growth of $Si_{1-X}Ge_X$(x=0.2, 0.5) Layer by Ion Beam Assisted Depposition

  • 박상욱 (연세대학교 금속공학과 정련 및 박막재료연구실) ;
  • 백홍구 (연세대학교 금속공학과 정련 및 박막재료연구실)
  • 발행 : 1994.02.01