Atomic Layer Eppitaxy 및 Chemical Beam Eppitaxy 방법으로 성장한 GaAs 표면형상의 Atomic Force Microscoppy 연구

• 박성주 (한국전자통신연구소, 기초기술연구부) ;
• 하정숙 (한국전자통신연구소, 기초기술연구부) ;
• 노정래 (한국전자통신연구소, 기초기술연구부) ;
• 이일항 (한국전자통신연구소, 기초기술연구부) ;
• 전일철 (전북대하교 화학과)

• 발행 : 1994.02.01

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