Electrical Characteristics of Silicon Oxynitride Thin Films Fabricated by ECR PECVD at Room Temperature

상온에서 ECR PECVD에 의해 형성된 실리콘 산화질화막의 전기적 특성

  • 이호영 (서울대학교 금속공학과) ;
  • 전유찬 (서울대학교 금속공학과) ;
  • 주승기 (서울대학교 금속공학과)
  • Published : 1993.11.01