하드 스위칭 인버터를 위한 새로운 IGBT용 게이트 드라이버

A New IGBT Gate Driver for Hard Switching Inverter

  • 정용채 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 김학성 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 정재훈 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 이병우 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 조규형 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과)
  • 발행 : 1993.07.18

초록

To overcome the problem of the diode reverse recovery in high switching frequency inverter, a new gate drive scheme is proposed for IGBT in this paper. Using this circuit, the reverse recovery current can be controlled and faster switching time can be achieved for hard switching inverter. The over-current protection method, which is suitable for the proposed gate driver, is also presented. The operation of the proposed circuit is investigated and its usefulness is verified through the experimental results.

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