대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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- Pages.829-831
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- 1992
$N_2O$ 가스에서 열산화한 $SiO_2$ 막의 특성
Properties of $SiO_2$ film oxidized in $N_2O$ gas
- 김동석 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 최현식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 서용진 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김태형 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김창일 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 장의구 (중앙대학교 전기공학과)
- Kim, Dong-Seok (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Choi, Hyun-Sik (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Seo, Yong-Jin (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Tae-Hyung (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Chang-Il (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Chang, Eui-Goo (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.)
- 발행 : 1992.07.23
초록
Ultrathin metal-oxide-semiconductor(MOS) gate dielectrics have been fabricated by conventional thermal oxidation in
키워드